FCD900N60Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 48.10 грн |
| 5000+ | 44.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCD900N60Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FCD900N60Z за ціною від 42.50 грн до 164.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCD900N60Z | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCD900N60Z | onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCD900N60Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FCD900N60Z |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.56 грн |
| 10+ | 84.30 грн |
| 100+ | 65.34 грн |
| 250+ | 64.70 грн |
| 500+ | 56.95 грн |
| 1000+ | 50.04 грн |
| 2500+ | 46.03 грн |
| FCD900N60Z |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.30 грн |
| 10+ | 89.16 грн |
| 100+ | 56.53 грн |
| 500+ | 51.03 грн |
| 1000+ | 49.34 грн |
| 2500+ | 43.14 грн |
| 5000+ | 42.50 грн |
| FCD900N60Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.14 грн |
| 10+ | 101.71 грн |
| 100+ | 69.41 грн |
| 500+ | 52.16 грн |
| 1000+ | 51.13 грн |


