Продукція > ONSEMI > FCD900N60Z
FCD900N60Z

FCD900N60Z onsemi

fcd900n60z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.55 грн
5000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD900N60Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD900N60Z за ціною від 50.55 грн до 162.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCD900N60Z FCD900N60Z onsemi fcd900n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 11542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.54 грн
100+68.61 грн
500+51.56 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z onsemi FCD900N60Z-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z onsemi / Fairchild FCD900N60Z_D-2312011.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCD900N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
FCD900N60Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 11542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.25 грн
10+100.54 грн
100+68.61 грн
500+51.56 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z-D.PDF
FCD900N60Z
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z_D-2312011.pdf
FCD900N60Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD900N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1213 шт
В кошику  од. на суму  грн.