Продукція > ONSEMI > FCD900N60Z
FCD900N60Z

FCD900N60Z onsemi

fcd900n60z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.69 грн
5000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD900N60Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCD900N60Z за ціною від 48.04 грн до 147.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : onsemi / Fairchild FCD900N60Z_D-2312011.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.70 грн
10+87.99 грн
100+68.20 грн
250+67.54 грн
500+59.44 грн
1000+52.23 грн
2500+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : onsemi fcd900n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 14297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.22 грн
10+96.18 грн
100+68.12 грн
500+54.38 грн
1000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCD900N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : ON Semiconductor fcd900n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : ON Semiconductor fcd900n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 13.5A; 52W; DPAK
Pulsed drain current: 13.5A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z Виробник : ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 13.5A; 52W; DPAK
Pulsed drain current: 13.5A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.