
FCH023N65S3-F155 ON Semiconductor
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 630.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH023N65S3-F155 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FCH023N65S3-F155 за ціною від 679.26 грн до 1467.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH023N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH023N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH023N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH023N65S3-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FCH023N65S3-F155 Код товару: 160087
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
FCH023N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FCH023N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |