FCH023N65S3L4 onsemi / Fairchild
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1670.50 грн |
| 10+ | 1638.20 грн |
| 30+ | 1028.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH023N65S3L4 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCH023N65S3L4 за ціною від 1022.04 грн до 1727.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH023N65S3L4 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V |
на замовлення 72222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FCH023N65S3L4 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 595 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FCH023N65S3L4 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
FCH023N65S3L4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FCH023N65S3L4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FCH023N65S3L4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FCH023N65S3L4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 65.8A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FCH023N65S3L4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 65.8A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |