Технічний опис FCH023N65S3L4 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCH023N65S3L4 за ціною від 921.36 грн до 1605.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FCH023N65S3L4 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V |
на замовлення 61069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FCH023N65S3L4 | onsemi |
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| FCH023N65S3L4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 595 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCH023N65S3L4 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1522.21 грн |
| 120+ | 1455.42 грн |
| FCH023N65S3L4 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1522.21 грн |
| 120+ | 1455.42 грн |
| FCH023N65S3L4 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
на замовлення 61069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1605.59 грн |
| 30+ | 988.40 грн |
| 120+ | 921.36 грн |
| FCH023N65S3L4 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FCH023N65S3L4 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| FCH023N65S3L4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




