FCH029N65S3-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1425.01 грн |
| 30+ | 834.74 грн |
| 120+ | 797.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH029N65S3-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCH029N65S3-F155 за ціною від 799.57 грн до 1511.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCH029N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 75 A, 29 mohm, TO-247 |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 201nC Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |