FCH029N65S3-F155 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1130.38 грн |
| 5+ | 1087.57 грн |
| 10+ | 1044.76 грн |
| 50+ | 931.15 грн |
| 100+ | 822.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH029N65S3-F155 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FCH029N65S3-F155 за ціною від 803.47 грн до 1432.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH029N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247 |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FCH029N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |