FCH040N65S3-F155 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 932.42 грн |
| 5+ | 917.90 грн |
| 10+ | 903.37 грн |
| 50+ | 510.29 грн |
| 100+ | 468.10 грн |
| 250+ | 465.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH040N65S3-F155 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCH040N65S3-F155 за ціною від 463.53 грн до 1002.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH040N65S3-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET3 650V 40 mOhm |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCH040N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V |
на замовлення 64100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FCH040N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FCH040N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 162.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar On-state resistance: 40mΩ Drain current: 41A |
товару немає в наявності |