Продукція > ONSEMI > FCH041N60E
FCH041N60E

FCH041N60E onsemi

FCH041N60E-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 592W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 100 V
на замовлення 111600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.35 грн
30+606.45 грн
120+527.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH041N60E onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V, Power Dissipation (Max): 592W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCH041N60E за ціною від 531.16 грн до 1144.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCH041N60E FCH041N60E Виробник : onsemi / Fairchild FCH041N60E_D-2311858.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600V, 77A, 41mO
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.97 грн
30+689.52 грн
120+531.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E Виробник : ON Semiconductor FCH041N60E-D.PDF
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E Виробник : ON Semiconductor fch041n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E Виробник : ON Semiconductor fch041n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E Виробник : ON Semiconductor fch041n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E Виробник : ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E Виробник : ON Semiconductor fch041n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E Виробник : ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.