
FCH041N60F-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1134.47 грн |
30+ | 671.14 грн |
120+ | 591.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH041N60F-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FCH041N60F-F085 за ціною від 748.38 грн до 748.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCH041N60F-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FCH041N60F-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FCH041N60F-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FCH041N60F-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
FCH041N60F-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 277nC Pulsed drain current: 228A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
FCH041N60F-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
FCH041N60F-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 277nC Pulsed drain current: 228A |
товару немає в наявності |