Продукція > ONSEMI > FCH041N60F
FCH041N60F

FCH041N60F onsemi


fch041n60f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14365 pF @ 100 V
на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.48 грн
30+540.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH041N60F onsemi

Description: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FCH041N60F за ціною від 490.49 грн до 878.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCH041N60F FCH041N60F Виробник : ONSEMI 2572557.pdf Description: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.20 грн
5+813.50 грн
10+778.79 грн
50+569.88 грн
100+508.63 грн
250+491.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F FCH041N60F Виробник : onsemi / Fairchild fch041n60f-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel MOSFET, FRFET
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+878.61 грн
10+741.97 грн
30+535.01 грн
120+490.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F Виробник : ON Semiconductor fch041n60f-d.pdf
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F
Код товару: 194305
Додати до обраних Обраний товар

fch041n60f-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F FCH041N60F Виробник : ON Semiconductor fch041n60f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F FCH041N60F Виробник : ON Semiconductor fch041n60f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F Виробник : ONSEMI fch041n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F Виробник : ONSEMI fch041n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.