FCH041N65EF-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1056.80 грн |
| 10+ | 740.08 грн |
| 450+ | 554.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH041N65EF-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCH041N65EF-F155 за ціною від 551.20 грн до 1121.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH041N65EF-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH041N65EF-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH041N65EF-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCH041N65EF-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FCH041N65EF-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |