Технічний опис FCH041N65EFL4 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-247-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FCH041N65EFL4 за ціною від 639.98 грн до 1017.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH041N65EFL4 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FCH041N65EFL4 | onsemi |
MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FCH041N65EFL4 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 874.60 грн |
| 30+ | 642.71 грн |
| FCH041N65EFL4 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1017.18 грн |
| 10+ | 738.41 грн |
| 120+ | 639.98 грн |