FCH041N65EFL4 ON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 582.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH041N65EFL4 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCH041N65EFL4 за ціною від 564.62 грн до 1026.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH041N65EFL4 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH041N65EFL4 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCH041N65EFL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH041N65EFL4 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FCH041N65EFL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 277nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FCH041N65EFL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FCH041N65EFL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FCH041N65EFL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FCH041N65EFL4 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 277nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |