Продукція > ONSEMI > FCH067N65S3-F155

FCH067N65S3-F155 onsemi


fch067n65s3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+517.68 грн
30+288.57 грн
120+242.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH067N65S3-F155 onsemi

Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FCH067N65S3-F155

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCH067N65S3-F155 ONN fch067n65s3-d.pdf
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.