FCH070N60E onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 380 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.37 грн |
| 30+ | 366.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH070N60E onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 380 V.
Інші пропозиції FCH070N60E за ціною від 386.97 грн до 796.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH070N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH070N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FCH070N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 156A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FCH070N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 156A |
товару немає в наявності |