FCH072N60F onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8660 pF @ 100 V
на замовлення 53248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 566.05 грн |
| 30+ | 374.75 грн |
| 120+ | 344.59 грн |
| 510+ | 305.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH072N60F onsemi
Description: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FCH072N60F за ціною від 334.66 грн до 744.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH072N60F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet |
на замовлення 11617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH072N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCH072N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCH072N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH072N60F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCH072N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCH072N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCH072N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FCH072N60F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FCH072N60F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |