
FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
48+ | 458.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FCH077N65F-F085 за ціною від 379.75 грн до 840.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH077N65F-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
FCH077N65F-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |