Продукція > ONSEMI > FCH077N65F-F155
FCH077N65F-F155

FCH077N65F-F155 onsemi

fch077n65f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.36 грн
30+428.70 грн
120+383.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH077N65F-F155 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCH077N65F-F155 за ціною від 379.43 грн до 770.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 Виробник : onsemi / Fairchild fch077n65f-d.pdf MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+770.60 грн
30+477.70 грн
120+379.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 Виробник : ON Semiconductor fch077n65f-d.pdf
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000571263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCH077N65F-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 Виробник : ON Semiconductor fch077n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 Виробник : ONSEMI fch077n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 Виробник : ONSEMI fch077n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.