FCH125N60E

FCH125N60E Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+165.82 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH125N60E Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V.

Інші пропозиції FCH125N60E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCH125N60E Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E FCH125N60E Виробник : ON Semiconductor fch125n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E FCH125N60E Виробник : onsemi fch125n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E FCH125N60E Виробник : onsemi / Fairchild FCH125N60E_D-1806032.pdf MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.