FCH125N60E Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
127+163.69 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH125N60E Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FCH125N60E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCH125N60E ON Semiconductor ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.