Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCH125N60E

FCH125N60E Fairchild Semiconductor

Name: FCH125N60E
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 70265652-3
Price: 21008.34 UAH
Availability: InStock

ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
127+	165.42 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FCH125N60E Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V.

Інші пропозиції FCH125N60E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FCH125N60E	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FCH125N60E	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH125N60E	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 87A Power dissipation: 278W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.102Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH125N60E	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH125N60E	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH125N60E	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 87A Power dissipation: 278W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.102Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.