
FCH125N65S3R0-F155 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 473.95 грн |
30+ | 332.99 грн |
120+ | 297.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH125N65S3R0-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCH125N65S3R0-F155 за ціною від 228.98 грн до 512.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH125N65S3R0-F155 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FCH125N65S3R0-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
FCH125N65S3R0-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FCH125N65S3R0-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
FCH125N65S3R0-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |