FCH150N65F-F155 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 500.12 грн |
| 5+ | 412.64 грн |
| 10+ | 325.16 грн |
| 50+ | 291.21 грн |
| 100+ | 258.90 грн |
| 250+ | 249.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH150N65F-F155 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FCH150N65F-F155 за ціною від 213.86 грн до 559.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH150N65F-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCH150N65F-F155 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V |
на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCH150N65F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 14.9A On-state resistance: 0.133Ω Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 14.9A On-state resistance: 0.133Ω Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |