FCH165N60E onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.00 грн |
| 30+ | 208.70 грн |
| 120+ | 205.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH165N60E onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V.
Інші пропозиції FCH165N60E за ціною від 217.40 грн до 337.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH165N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FCH165N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FCH165N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 69A Case: TO247 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 227W |
товару немає в наявності |