FCH165N65S3R0-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 435.66 грн |
| 10+ | 299.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH165N65S3R0-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCH165N65S3R0-F155 за ціною від 192.71 грн до 470.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH165N65S3R0-F155 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH165N65S3R0-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FCH165N65S3R0-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 47.5A Drain current: 12.3A Power dissipation: 154W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 47.5A Drain current: 12.3A Power dissipation: 154W |
товару немає в наявності |