FCH190N65F-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.74 грн |
| 10+ | 288.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH190N65F-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCH190N65F-F155 за ціною від 203.90 грн до 466.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH190N65F-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea |
на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FCH190N65F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 8100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
FCH190N65F-F155 Код товару: 191730
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
FCH190N65F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FCH190N65F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FCH190N65F-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.6A Pulsed drain current: 61.8A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |