FCH47N60NF ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH47N60NF ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 368W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.
Інші пропозиції FCH47N60NF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH47N60NF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 8970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCH47N60NF |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)