Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCH47N60NF

FCH47N60NF ON Semiconductor

Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 8970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FCH47N60NF ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 368W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.

Інші пропозиції FCH47N60NF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FCH47N60NF	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH47N60NF	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH47N60NF	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 137.4A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 57.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH47N60NF	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 368W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH47N60NF	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FCH47N60NF	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 137.4A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 57.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.