FCH76N60N

FCH76N60N Fairchild Semiconductor


FAIRS46023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V
на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+1155.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH76N60N Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 543W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCH76N60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCH76N60N FCH76N60N Виробник : ON Semiconductor fch76n60n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH76N60N Виробник : ONSEMI FAIRS46023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch76n60n-d.pdf FCH76N60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH76N60N FCH76N60N Виробник : onsemi fch76n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH76N60N FCH76N60N Виробник : onsemi / Fairchild FCH76N60N_D-2311641.pdf MOSFETs 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.