на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 972.67 грн |
| 10+ | 857.50 грн |
| 30+ | 632.63 грн |
| 120+ | 599.60 грн |
| 270+ | 562.17 грн |
| 510+ | 543.83 грн |
| 1020+ | 524.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCHD040N65S3-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCHD040N65S3-F155 за ціною від 609.83 грн до 1040.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCHD040N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||
| FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Pulsed drain current: 162.5A |
товару немає в наявності |