FCHD125N65S3R0-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCHD125N65S3R0-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCHD125N65S3R0-F155
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCHD125N65S3R0-F155 | onsemi |
MOSFET Easy Drive 650V 24A 125 mOhm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| FCHD125N65S3R0-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCHD125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247ADDrain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 181 Bauform - Transistor: TO-247AD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FCHD125N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET Easy Drive 650V 24A 125 mOhm
MOSFET Easy Drive 650V 24A 125 mOhm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCHD125N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCHD125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCHD125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


