Продукція > ONSEMI > FCHD190N65S3R0-F155
FCHD190N65S3R0-F155

FCHD190N65S3R0-F155 onsemi

FCHD190N65S3R0_D-2311642.pdf Виробник: onsemi
MOSFET Easy Drive 650V 17A 190 mOhm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.63 грн
10+472.08 грн
30+332.03 грн
120+286.00 грн
270+268.64 грн
510+258.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCHD190N65S3R0-F155 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCHD190N65S3R0-F155

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCHD190N65S3R0-F155 Виробник : ON Semiconductor fchd190n65s3r0-d.pdf
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD190N65S3R0-F155 Виробник : ONSEMI fchd190n65s3r0-d.pdf Description: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 144
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD190N65S3R0-F155 Виробник : ON Semiconductor fchd190n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD190N65S3R0-F155 FCHD190N65S3R0-F155 Виробник : onsemi fchd190n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.