на замовлення 1000 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 524.42 грн |
| 10+ | 465.32 грн |
| 25+ | 382.55 грн |
| 100+ | 331.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCI25N60N-F102 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 216W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCI25N60N-F102
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCI25N60N-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FCI25N60N-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 216W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |