Продукція > ONSEMI > FCI7N60
FCI7N60

FCI7N60 onsemi

fci7n60-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.04 грн
10+152.24 грн
100+107.74 грн
500+89.48 грн
1000+84.88 грн
2000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCI7N60 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCI7N60 за ціною від 89.30 грн до 217.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCI7N60 FCI7N60 Виробник : onsemi / Fairchild fci7n60-d.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.91 грн
10+168.58 грн
50+145.85 грн
100+104.18 грн
250+103.44 грн
500+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60 Виробник : ON Semiconductor 3666436913840386fci7n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 Виробник : ONSEMI fci7n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 Виробник : ONSEMI fci7n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.