FCI7N60 onsemi
Виробник:
onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|
| 2+ | 276.91 грн |
| 10+ | 175.08 грн |
| 50+ | 135.89 грн |
| 100+ | 115.68 грн |
| 500+ | 94.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCI7N60 onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7A, Power dissipation: 83W, Case: I2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 21A, Gate charge: 23nC.
Інші пропозиції FCI7N60
| Фото |
Назва |
Виробник |
Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
 |
FCI7N60 |
onsemi |
MOSFETs HIGH POWER |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику
од. на суму грн.
|
|
|
FCI7N60 |
onsemi / Fairchild |
MOSFETs HIGH POWER |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику
од. на суму грн.
|
Виробник:
onsemiMOSFETs HIGH POWER
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику
од. на суму грн.
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику
од. на суму грн.
