FCMT080N65S3 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 880µA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2765 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 880µA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2765 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 303.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCMT080N65S3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 880µA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2765 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCMT080N65S3 за ціною від 274.48 грн до 657.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCMT080N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 880µA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2765 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCMT080N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| FCMT080N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy-Drive 650 V, 38 A, 80 mOhm |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| FCMT080N65S3 | Виробник : ONSEMI | FCMT080N65S3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
FCMT080N65S3 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 650V 38A, 80MOHM |
товару немає в наявності |