Продукція > ONSEMI > FCMT099N65S3
FCMT099N65S3

FCMT099N65S3 onsemi

fcmt099n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+223.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT099N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 30A POWER88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: Power88, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCMT099N65S3 за ціною від 201.63 грн до 520.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCMT099N65S3 FCMT099N65S3 Виробник : onsemi fcmt099n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.00 грн
10+339.28 грн
100+247.74 грн
500+201.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt099n65s3-d.pdf
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT099N65S3 FCMT099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt099n65s3-d.pdf N-Channel SuperFET III MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT099N65S3 Виробник : ONSEMI fcmt099n65s3-d.pdf FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT099N65S3 FCMT099N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild FCMT099N65S3_D-2311826.pdf MOSFETs PQFN88 PKG, 99mohm 650V, SuperFET3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.