Продукція > ONSEMI > FCMT125N65S3
FCMT125N65S3

FCMT125N65S3 onsemi

fcmt125n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.40 грн
10+289.61 грн
100+243.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT125N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCMT125N65S3 за ціною від 188.49 грн до 384.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 Виробник : onsemi FCMT125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.84 грн
10+313.79 грн
100+239.41 грн
500+237.13 грн
1000+218.13 грн
3000+188.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 Виробник : ONSEMI FCMT125N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCMT125N65S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+233.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt125n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 Виробник : onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 Виробник : ONSEMI fcmt125n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.