на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.22 грн |
| 10+ | 323.88 грн |
| 100+ | 257.15 грн |
| 500+ | 226.53 грн |
| 1000+ | 206.64 грн |
| 3000+ | 198.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCMT125N65S3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCMT125N65S3 за ціною від 235.24 грн до 235.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCMT125N65S3 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FCMT125N65S3 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FCMT125N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
| FCMT125N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: PQFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
FCMT125N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FCMT125N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||
| FCMT125N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: PQFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |