Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCMT180N65S3
FCMT180N65S3

FCMT180N65S3 ON Semiconductor

fcmt180n65s3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+189.38 грн
10+182.89 грн
25+181.67 грн
100+169.10 грн
250+154.98 грн
500+148.38 грн
1000+142.81 грн
3000+140.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT180N65S3 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FCMT180N65S3 за ціною від 140.96 грн до 459.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.38 грн
78+181.67 грн
100+169.10 грн
250+154.98 грн
500+148.38 грн
1000+142.81 грн
3000+140.96 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 onsemi FCMT180N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.86 грн
10+297.48 грн
100+214.94 грн
500+188.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 ONSEMI ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 onsemi FCMT180N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 ONSEMI ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 ON Semiconductor FCMT180N65S3-D.PDF
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 fcmt180n65s3-d.pdf
FCMT180N65S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.38 грн
78+181.67 грн
100+169.10 грн
250+154.98 грн
500+148.38 грн
1000+142.81 грн
3000+140.96 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3-D.PDF
FCMT180N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.86 грн
10+297.48 грн
100+214.94 грн
500+188.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCMT180N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3-D.PDF
FCMT180N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCMT180N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.