FCMT180N65S3 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 156.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCMT180N65S3 onsemi
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCMT180N65S3 за ціною від 124.51 грн до 204.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
на замовлення 10510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| FCMT180N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17A Pulsed drain current: 42.5A Power dissipation: 139W Case: PQFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |