FCMT180N65S3 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 152.04 грн |
| 10+ | 146.83 грн |
| 25+ | 145.85 грн |
| 100+ | 135.76 грн |
| 250+ | 124.42 грн |
| 500+ | 119.12 грн |
| 1000+ | 114.65 грн |
| 3000+ | 113.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCMT180N65S3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCMT180N65S3 за ціною від 121.87 грн до 290.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FCMT180N65S3 | Виробник : ONSEMI |
FCMT180N65S3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FCMT180N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |