Продукція > ONSEMI > FCMT180N65S3
FCMT180N65S3

FCMT180N65S3 onsemi

fcmt180n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+155.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT180N65S3 onsemi

Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCMT180N65S3 за ціною від 120.99 грн до 205.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+162.55 грн
78+155.93 грн
100+145.15 грн
250+133.02 грн
500+127.36 грн
1000+122.58 грн
3000+120.99 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+174.16 грн
10+168.19 грн
25+167.07 грн
100+155.51 грн
250+142.53 грн
500+136.45 грн
1000+131.34 грн
3000+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+188.31 грн
500+171.71 грн
1000+149.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.40 грн
10+190.85 грн
100+188.31 грн
500+171.71 грн
1000+149.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : onsemi fcmt180n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.94 грн
10+187.62 грн
100+187.03 грн
500+172.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : onsemi fcmt180n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.54 грн
10+198.26 грн
100+168.62 грн
500+165.59 грн
1000+163.33 грн
3000+152.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 Виробник : ONSEMI fcmt180n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42.5A
Power dissipation: 139W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 Виробник : ONSEMI fcmt180n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42.5A
Power dissipation: 139W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.