Продукція > ONSEMI > FCMT199N60
FCMT199N60

FCMT199N60 onsemi

FCMT199N60-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+192.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT199N60 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power88, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCMT199N60 за ціною від 201.37 грн до 513.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCMT199N60 FCMT199N60 onsemi FCMT199N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V
на замовлення 6322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.40 грн
10+332.63 грн
50+263.42 грн
100+226.31 грн
500+201.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 FCMT199N60 onsemi FCMT199N60-D.pdf MOSFETs 199mohm 600V SuperFET2
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 ONN FCMT199N60-D.pdf
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 FCMT199N60-D.pdf
FCMT199N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V
на замовлення 6322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.40 грн
10+332.63 грн
50+263.42 грн
100+226.31 грн
500+201.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 FCMT199N60-D.pdf
FCMT199N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 199mohm 600V SuperFET2
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 FCMT199N60-D.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.