| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 144.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCMT250N65S3 onsemi
Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCMT250N65S3 за ціною від 154.99 грн до 471.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCMT250N65S3 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88 |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCMT250N65S3 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm |
на замовлення 1061 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FCMT250N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCMT250N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 408.65 грн |
| 10+ | 262.17 грн |
| 50+ | 205.96 грн |
| 100+ | 176.32 грн |
| 500+ | 159.48 грн |
| FCMT250N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 471.35 грн |
| 10+ | 304.56 грн |
| 100+ | 194.86 грн |
| 500+ | 173.04 грн |
| 1000+ | 154.99 грн |
| FCMT250N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCMT250N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




