FCMT299N60 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.43 грн |
| 10+ | 217.33 грн |
| 100+ | 155.22 грн |
| 500+ | 139.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCMT299N60 onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power88, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V.
Інші пропозиції FCMT299N60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCMT299N60 | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCMT299N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT299N60 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 23026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FCMT299N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FCMT299N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCMT299N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCMT299N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


