Продукція > ONSEMI > FCMT299N60
FCMT299N60

FCMT299N60 onsemi

fcmt299n60-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+133.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT299N60 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power88, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V.

Інші пропозиції FCMT299N60 за ціною від 120.34 грн до 380.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCMT299N60 FCMT299N60 Виробник : onsemi fcmt299n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V
на замовлення 35386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.13 грн
10+223.07 грн
100+162.01 грн
500+147.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 FCMT299N60 Виробник : onsemi fcmt299n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V
на замовлення 35313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.73 грн
10+229.79 грн
100+164.14 грн
500+127.76 грн
1000+120.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 FCMT299N60 Виробник : onsemi / Fairchild fcmt299n60-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.97 грн
10+262.87 грн
25+227.86 грн
100+165.45 грн
250+164.73 грн
500+138.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 Виробник : ONSEMI FCMT299N60-D.pdf Description: ONSEMI - FCMT299N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 FCMT299N60 Виробник : ON Semiconductor 4264849430730830fcmt299n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin Power 88 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 Виробник : ONSEMI fcmt299n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 Виробник : ONSEMI fcmt299n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.