Продукція > ONSEMI > FCMT360N65S3
FCMT360N65S3

FCMT360N65S3 onsemi

fcmt360n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.07 грн
10+210.86 грн
25+176.68 грн
100+166.29 грн
250+162.57 грн
500+146.24 грн
1000+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT360N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції FCMT360N65S3 за ціною від 135.49 грн до 290.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3 Виробник : onsemi fcmt360n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.69 грн
10+176.15 грн
100+167.90 грн
500+136.47 грн
1000+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 Виробник : ONSEMI FCMT360N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCMT360N65S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+177.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt360n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 Виробник : ONSEMI fcmt360n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Mounting: SMD
Case: PQFN4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3 Виробник : onsemi fcmt360n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 Виробник : ONSEMI fcmt360n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Mounting: SMD
Case: PQFN4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.