Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP067N65S3
FCP067N65S3

FCP067N65S3 ON Semiconductor

fcp067n65s3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+410.93 грн
100+394.54 грн
500+376.98 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP067N65S3 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCP067N65S3 за ціною від 250.64 грн до 522.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP067N65S3 FCP067N65S3 ON Semiconductor fcp067n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+469.33 грн
43+332.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 ON Semiconductor fcp067n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.36 грн
10+469.33 грн
25+332.21 грн
100+295.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.65 грн
50+272.83 грн
100+250.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3-D.PDF MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 ONSEMI 2304500.pdf Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+469.33 грн
43+332.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+470.36 грн
10+469.33 грн
25+332.21 грн
100+295.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.65 грн
50+272.83 грн
100+250.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 2304500.pdf
FCP067N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.