FCP099N60E ON Semiconductor
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 209.07 грн |
| 61+ | 198.65 грн |
| 62+ | 197.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP099N60E ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V.
Інші пропозиції FCP099N60E за ціною від 207.18 грн до 385.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCP099N60E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FCP099N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET2 600V Slow version |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FCP099N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FCP099N60E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
|
FCP099N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FCP099N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FCP099N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 111A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37A Power dissipation: 357W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 111A Gate charge: 88nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FCP099N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 111A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37A Power dissipation: 357W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 111A Gate charge: 88nC |
товару немає в наявності |