Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP099N60E
FCP099N60E

FCP099N60E ON Semiconductor

fcp099n60ecn-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+312.91 грн
10+257.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP099N60E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCP099N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FCP099N60E за ціною від 214.89 грн до 455.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP099N60E FCP099N60E ON Semiconductor fcp099n60ecn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.91 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E FCP099N60E onsemi FCP099N60E-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.16 грн
50+234.58 грн
100+214.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E FCP099N60E onsemi FCP099N60E-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Slow version
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E ON Semiconductor FCP099N60E-D.pdf
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E fcp099n60ecn-d.pdf
FCP099N60E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+312.91 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E FCP099N60E-D.pdf
FCP099N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+455.16 грн
50+234.58 грн
100+214.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E FCP099N60E-D.pdf
FCP099N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Slow version
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N60E FCP099N60E-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.