Продукція > ONSEMI > FCP099N65S3
FCP099N65S3

FCP099N65S3 onsemi

fcp099n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.44 грн
50+191.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP099N65S3 onsemi

Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCP099N65S3 за ціною від 153.83 грн до 315.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP099N65S3 FCP099N65S3 Виробник : ONSEMI fcp099n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.85 грн
10+206.95 грн
100+201.80 грн
500+172.23 грн
1000+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N65S3 FCP099N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild FCP099N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.25 грн
10+210.39 грн
100+179.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp099n65s3-d.pdf
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N65S3 FCP099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp099n65s3-d.pdf N-Channel SuperFET III MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.