Продукція > ONSEMI > FCP104N60
FCP104N60

FCP104N60 onsemi

fcp104n60-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.84 грн
50+251.93 грн
100+230.80 грн
500+181.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP104N60 onsemi

Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCP104N60 за ціною від 209.57 грн до 505.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP104N60 FCP104N60 Виробник : ONSEMI fcp104n60-d.pdf Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+498.40 грн
10+483.01 грн
100+292.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 Виробник : onsemi / Fairchild FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.00 грн
10+275.18 грн
100+220.24 грн
500+209.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60
Код товару: 177196
Додати до обраних Обраний товар

fcp104n60-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 Виробник : ON Semiconductor 3661697914434240fcp104n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 Виробник : ON Semiconductor fcp104n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 Виробник : ONSEMI fcp104n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.