FCP104N60F ON Semiconductor
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.82 грн |
| 10+ | 293.41 грн |
| 50+ | 237.95 грн |
| 100+ | 217.24 грн |
| 250+ | 194.76 грн |
| 500+ | 183.94 грн |
| 800+ | 174.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP104N60F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FCP104N60F за ціною від 186.08 грн до 407.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCP104N60F | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCP104N60F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCP104N60F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCP104N60F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FCP104N60F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 37 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FCP104N60F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FCP104N60F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO220-3 |
товару немає в наявності |