Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP110N65F
FCP110N65F

FCP110N65F ON Semiconductor

fcp110n65f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+377.16 грн
100+358.30 грн
500+339.44 грн
1000+309.14 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP110N65F ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCP110N65F за ціною від 206.71 грн до 536.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP110N65F FCP110N65F onsemi FCP110N65F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.24 грн
50+279.90 грн
100+257.12 грн
500+206.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F FCP110N65F onsemi FCP110N65F-D.pdf MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F FCP110N65F ON Semiconductor fcp110n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F ON Semiconductor FCP110N65F-D.pdf
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F FCP110N65F-D.pdf
FCP110N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+536.24 грн
50+279.90 грн
100+257.12 грн
500+206.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F FCP110N65F-D.pdf
FCP110N65F
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
FCP110N65F
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP110N65F FCP110N65F-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.