Продукція > ONSEMI > FCP11N60F
FCP11N60F

FCP11N60F onsemi

fcp11n60f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.99 грн
50+113.49 грн
100+109.97 грн
500+102.19 грн
1000+95.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP11N60F onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCP11N60F за ціною від 98.85 грн до 257.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP11N60F FCP11N60F Виробник : onsemi / Fairchild fcp11n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.95 грн
10+124.96 грн
100+103.38 грн
500+98.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F Виробник : ON Semiconductor 7fcp11n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F Виробник : ON Semiconductor 7fcp11n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F Виробник : ON Semiconductor 7fcp11n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F Виробник : ONSEMI fcp11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F Виробник : ONSEMI fcp11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.