
FCP11N60N Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
184+ | 112.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP11N60N Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP11N60N за ціною від 152.14 грн до 159.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP11N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
FCP11N60N | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
FCP11N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FCP11N60N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FCP11N60N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |