FCP125N60E ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 350.52 грн |
| 10+ | 303.73 грн |
| 50+ | 300.19 грн |
| 100+ | 242.38 грн |
| 250+ | 222.21 грн |
| 500+ | 211.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP125N60E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 29, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FCP125N60E за ціною від 209.90 грн до 469.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCP125N60E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCP125N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCP125N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FCP125N60E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FCP125N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCP125N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FCP125N60E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 29 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 278 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 278 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FCP125N60E | Виробник : ONSEMI |
FCP125N60E THT N channel transistors |
товару немає в наявності |