Продукція > ONSEMI > FCP125N65S3
FCP125N65S3

FCP125N65S3 onsemi

FCP125N65S3-D.PDF Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.78 грн
10+211.58 грн
100+167.26 грн
500+137.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP125N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP125N65S3 за ціною від 129.46 грн до 381.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP125N65S3 FCP125N65S3 Виробник : onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.60 грн
50+192.18 грн
100+175.23 грн
500+136.59 грн
1000+129.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp125n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 Виробник : ONSEMI fcp125n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.