Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP125N65S3R0
FCP125N65S3R0

FCP125N65S3R0 ON Semiconductor

fcp125n65s3r0-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+320.15 грн
10+278.95 грн
25+262.39 грн
50+236.78 грн
100+202.19 грн
250+174.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP125N65S3R0 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FCP125N65S3R0 за ціною від 134.55 грн до 374.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 ON Semiconductor fcp125n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.15 грн
51+278.95 грн
54+262.39 грн
58+236.78 грн
100+202.19 грн
250+174.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.61 грн
50+189.09 грн
100+172.48 грн
500+134.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 ONSEMI FCP125N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 ON Semiconductor FCP125N65S3R0-D.PDF
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+320.15 грн
51+278.95 грн
54+262.39 грн
58+236.78 грн
100+202.19 грн
250+174.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.61 грн
50+189.09 грн
100+172.48 грн
500+134.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.