Продукція > ONSEMI > FCP125N65S3R0
FCP125N65S3R0

FCP125N65S3R0 ONSEMI

fcp125n65s3r0-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.33 грн
10+206.65 грн
100+182.77 грн
500+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP125N65S3R0 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FCP125N65S3R0 за ціною від 130.28 грн до 351.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 Виробник : onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.85 грн
50+186.76 грн
100+170.35 грн
500+132.89 грн
1000+130.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 Виробник : onsemi FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.91 грн
10+280.21 грн
50+171.00 грн
100+157.79 грн
250+157.06 грн
500+146.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp125n65s3r0-d.pdf
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp125n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 Виробник : ONSEMI fcp125n65s3r0-d.pdf FCP125N65S3R0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.