Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCP130N60
FCP130N60

FCP130N60 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+234.33 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP130N60 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V.

Інші пропозиції FCP130N60 за ціною від 217.63 грн до 461.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP130N60 FCP130N60 onsemi FCP130N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.84 грн
10+299.68 грн
100+217.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 ONN FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 ONSEMI ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCP130N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+461.84 грн
10+299.68 грн
100+217.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONN
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP130N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.