FCP130N60

FCP130N60 Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+206.22 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP130N60 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V.

Інші пропозиції FCP130N60 за ціною від 186.39 грн до 433.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP130N60 FCP130N60 Виробник : ON Semiconductor 3650094738295768fcp130n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+206.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 Виробник : onsemi fcp130n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.14 грн
10+283.84 грн
100+204.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 Виробник : onsemi / Fairchild fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.14 грн
10+314.14 грн
100+196.20 грн
500+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCP130N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 Виробник : ONSEMI fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 84A; 278W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 Виробник : ON Semiconductor 3650094738295768fcp130n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 Виробник : ONSEMI fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 84A; 278W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.