FCP130N60 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 229.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP130N60 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V.
Інші пропозиції FCP130N60 за ціною від 172.15 грн до 457.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP130N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP130N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCP130N60 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCP130N60 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FCP130N60 | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3 Група товару: Силові MOSFET-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| FCP130N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 84A; 278W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 278W Pulsed drain current: 84A Gate charge: 54nC |
товару немає в наявності |