Технічний опис FCP13N60N ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP13N60N за ціною від 132.29 грн до 341.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCP13N60N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP13N60N | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V |
на замовлення 3541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP13N60N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP13N60N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP13N60N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP13N60N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCP13N60N | onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V, 13A, N-Chan |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FCP13N60N | ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 133.61 грн |
| 107+ | 132.29 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 107+ | 185.06 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 264.01 грн |
| 500+ | 249.87 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 264.01 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 264.01 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 264.01 грн |
| 500+ | 249.87 грн |
| 1000+ | 236.90 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V, 13A, N-Chan
MOSFET 600V, 13A, N-Chan
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.53 грн |
| 10+ | 282.79 грн |
| 25+ | 232.13 грн |
| 100+ | 198.38 грн |
| 250+ | 187.36 грн |
| 500+ | 177.02 грн |
| 800+ | 157.05 грн |
| FCP13N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




