
FCP13N60N ON Semiconductor
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
106+ | 115.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP13N60N ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP13N60N за ціною від 120.04 грн до 364.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP13N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP13N60N | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V |
на замовлення 3541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP13N60N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FCP13N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FCP13N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FCP13N60N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |