FCP150N65F onsemi / Fairchild
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 422.21 грн |
| 10+ | 233.44 грн |
| 100+ | 193.87 грн |
| 500+ | 164.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP150N65F onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP150N65F за ціною від 160.55 грн до 439.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP150N65F | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP150N65F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FCP150N65F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 298W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 24A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |