
FCP150N65F onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 394.26 грн |
50+ | 223.46 грн |
100+ | 204.43 грн |
500+ | 162.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP150N65F onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP150N65F за ціною від 180.35 грн до 415.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP150N65F | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCP150N65F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FCP150N65F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 298W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.15Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
FCP150N65F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 298W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.15Ω |
товару немає в наявності |